Datasheet下载- 型号： IRFU3711ZPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3711ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3711ZPBF价格参考。International RectifierIRFU3711ZPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU3711ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU3711ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体制造商，其产品广泛应用于汽车、工业控制、能源管理和消费电子等领域。型号为 IRFU3711ZPBF 的是一款由英飞凌生产的MOSFET晶体管。 应用场景： IRFU3711ZPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要适用于需要高效开关和功率控制的场合。常见的应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，提高能量转换效率，降低功耗。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机的控制电路中，作为高速开关元件使用。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动车或储能系统中用于控制充放电路径。 5. 工业自动化设备：如PLC控制模块、继电器替代方案等，提供快速响应和可靠性能。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合中高功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 93A I-PAKMOSFET MOSFT 20V 93A 5.7mOhm 18nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 93 A |
| Id-连续漏极电流 | 93 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3711ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU3711ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU3711ZPBF |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 93 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 93A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3711z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3711z.spi |
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