Datasheet下载- 型号： FQD4P25TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4P25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4P25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4P25TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4P25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4P25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4P25TM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 FQD4P25TM 常用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高效率，适合在电池供电设备或需要高能效的系统中使用。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。其快速开关特性和耐压能力（Vds = 250V）使其能够胜任高压电机驱动任务。 3. 负载开关 在消费电子、工业设备或汽车电子中，FQD4P25TM 可用作负载开关，实现对不同负载的动态控制。例如，在手机充电器、笔记本电脑适配器等产品中，它可以帮助管理系统中的电流分配。 4. 逆变器与变频器 FQD4P25TM 的高耐压和低损耗特性使其成为光伏逆变器、家用电器变频控制器的理想选择，尤其是在需要高频开关操作的情况下。 5. 保护电路 该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护和电子保险丝等应用中，提供可靠的电路保护功能。其坚固的设计能够承受瞬态过压和大电流冲击。 6. 汽车电子 在汽车领域，FQD4P25TM 可应用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、电动助力转向（EPS）系统以及电池管理系统（BMS）中，满足严苛的工作环境要求。 总结来说，FQD4P25TM 凭借其高性能参数和可靠性，适用于多种工业、消费类及汽车领域的电力电子应用，尤其适合需要高效能量转换和精确电流控制的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4P25TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 欧姆 @ 1.55A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Tc） |
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