Datasheet下载- 型号： IXFN50N80Q2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN50N80Q2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN50N80Q2价格参考。IXYSIXFN50N80Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN50N80Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN50N80Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN50N80Q2是一款高功率MOSFET晶体管，属于FET（场效应晶体管）中的N沟道增强型器件。该器件具有高耐压、大电流能力，广泛应用于需要高效能功率转换的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，适用于工业电源系统和通信电源模块。 2. 电机驱动：用于变频器、伺服电机驱动器及电动汽车电驱系统中，具备高效率和快速开关特性。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源中作为核心功率开关元件，实现直流到交流的能量转换。 4. 焊接设备：用于高频逆变焊机中，提升焊接效率与稳定性。 5. 充电桩与储能系统：适用于新能源汽车充电模块和储能逆变系统，支持高电压平台应用。 6. 工业自动化控制：在高功率负载控制电路中作为电子开关使用，例如加热元件、照明系统的调制控制。 该器件采用TO-264封装，具备良好的热稳定性和散热性能，适合高功率密度设计。其800V的漏源击穿电压和50A的连续漏极电流能力，使其在高压、高功率应用场景中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN50N80Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A |
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