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STQ3N45K3-AP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ3N45K3-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ3N45K3-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ3N45K3-AP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 450V 600mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3。您可以下载STQ3N45K3-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STQ3N45K3-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STQ3N45K3-AP是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,支持高效率和小体积设计。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机等的控制,具备快速开关和高耐压特性,适合工业自动化设备。 3. 负载开关:作为电子开关控制高功率负载,如LED照明、加热元件和风扇等。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,具有低导通电阻,有助于减少能量损耗。 5. 汽车电子:支持车载电源系统、车载充电器及电池保护电路,符合汽车级可靠性要求。 该器件具备450V耐压、3A电流能力,采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,适合高密度和高可靠性设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ3N45K3-APSuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STQ3N45K3-AP |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 6 nC |
Qg-栅极电荷 | 6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 450 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 450 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 欧姆 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92 |
其它名称 | 497-10969-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250607?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 450V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 600mA (Tc) |
系列 | STQ3N45K3-AP |