Datasheet下载- 型号： STD8NM60N-1
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD8NM60N-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8NM60N-1价格参考。STMicroelectronicsSTD8NM60N-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD8NM60N-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD8NM60N-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD8NM60N-1是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如适配器、充电器和工业电源模块，因其具备600V高耐压和低导通电阻，可提高转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于小型家电、工业控制设备中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受较高的瞬态电压并提供稳定开关性能。 3. 照明应用：常用于电子镇流器、LED驱动电源及节能灯电路中，支持高频开关操作，有助于减小磁性元件体积，提升系统能效。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器或UPS（不间断电源）等设备中作为核心开关元件，实现电能的高效变换与控制。 5. 家用电器：如洗衣机、空调、电磁炉等需要功率控制的电器中，用于实现对负载的精确管理与保护。 该器件采用TO-220FP或类似封装，具有良好的散热性能和可靠性，适合工业级温度范围工作。凭借ST成熟的工艺技术，STD8NM60N-1在抗雪崩能力和EMI兼容性方面表现优异，适用于对安全性和稳定性要求较高的中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD8NM60N-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 650 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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