Datasheet下载- 型号： SIHW33N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHW33N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHW33N60E-GE3价格参考。VishaySIHW33N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHW33N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHW33N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHW33N60E-GE3是一款高压N沟道功率MOSFET，具有600V耐压和33A大电流能力，适用于高效率、高功率密度的电源系统。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和通信电源中，作为主开关器件，实现高效的电能转换。 2. PFC电路（功率因数校正）：在升压式PFC电路中表现优异，有助于提高功率因数、降低谐波干扰，满足能源效率标准（如Energy Star、IEC 61000-3-2）。 3. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备，承担直流到交流的转换任务，具备良好的开关特性和热稳定性。 4. 电机驱动：可用于工业电机控制、家电变频器等场合，提供快速响应和低导通损耗。 5. LED照明电源：在大功率LED驱动电源中，支持高效率DC-DC或AC-DC转换。 该器件采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（Rds(on)），可减少开关损耗和导通损耗，提升系统整体效率。同时，其TO-247封装具备良好的散热性能，适合高功率应用环境。SIHW33N60E-GE3还具备高雪崩耐量和可靠性，适应严苛工作条件，是工业级和高要求消费类电子中的优选MOSFET之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247ADMOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHW33N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHW33N60E-GE3SIHW33N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 278 W |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 其它名称 | SIHW33N60E-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | E-Series |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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