Datasheet下载- 型号： IXTN90P20P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN90P20P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN90P20P价格参考。IXYSIXTN90P20P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTN90P20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTN90P20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTN90P20P是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件。该器件具有较高的电流承载能力和良好的导通性能，适用于需要高效功率控制的场合。 该MOSFET的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的电能转换与调节。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件，控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：用于控制大电流负载的通断，如照明系统、加热元件或电池充放电管理。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中作为功率开关，实现直流到交流的电能转换。 5. 工业控制：用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC输出驱动、继电器替代等。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具、电池管理系统（BMS）等高可靠性要求的场景。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（200V）和大电流（90A）特性，适合高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合工业和高功率环境使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 90A SOT227分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS IXTN90P20PPolarP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTN90P20P |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 205nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品 | Diode Power Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B |
| 工作温度 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A |
| 类型 | Single Switch MOSFET Module |
| 系列 | IXTN90P20 |
| 配置 | Series Connection - 2 Diodes |
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