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RFD14N05L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD14N05L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD14N05L价格参考。Fairchild SemiconductorRFD14N05L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 50V 14A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA。您可以下载RFD14N05L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD14N05L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD14N05L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和出色的开关性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的功率传输。 - 开关模式电源 (SMPS):作为主开关器件,用于实现高效的能量转换。 - 负载开关:在便携式设备中控制电源的通断,降低待机功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于驱动玩具、家用电器中的小型电机。 - H 桥电路:在双向电机控制中作为关键开关元件。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:用于防止过流、短路等异常情况,保护锂电池或其他可充电电池。 - 充放电控制:通过快速开关特性实现对电池充放电过程的精确控制。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动。 - LED 照明驱动:用于汽车内部和外部 LED 灯的亮度调节。 5. 消费类电子产品 - 适配器和充电器:用于手机、平板电脑等设备的充电器中,提升充电效率。 - 音频放大器:在低失真音频信号处理中作为开关或驱动元件。 6. 工业应用 - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命特点,替代传统机械继电器。 - 传感器接口:为各种传感器提供电源或信号隔离。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高系统效率。 - 高切换频率:支持高频开关应用,适合现代高效设计。 - 优异的热性能:确保在高功率条件下稳定运行。 RFD14N05L 的这些特性使其成为众多低至中等功率应用的理想选择,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAKMOSFET TO-251AA N-Ch Power |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD14N05L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFD14N05L |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
| 系列 | RFD14N05 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFD14N05L_NL |