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产品简介:
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STMicroelectronics的STB21NM50N-1是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,因其高耐压(500V)和良好导通性能,可提高电源转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:常用于工业电机控制、电动车及家电中的电机驱动电路,支持高电流负载,响应速度快,提升系统动态性能。 3. 照明系统:在LED照明、镇流器等应用中作为开关元件,具备低导通电阻和快速开关特性,有助于降低能耗。 4. 工业自动化:用于PLC、变频器、伺服驱动等工业控制设备中,提供稳定可靠的功率开关功能,适应复杂工况。 5. 消费电子:如电视、音响等设备的电源部分,满足高能效与小型化需求。 该器件采用TO-220封装,易于散热和安装,适合高功率密度设计。其高雪崩耐量和抗短路能力,也增强了系统在严苛环境下的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB21NM50N-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 9A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-5727 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |