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  • 型号: PSMN016-100BS,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN016-100BS,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN016-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN016-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN016-100BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 57A(Tj) 148W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN016-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN016-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKMOSFET N-CH 100V 16 MOHM MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

57 A

Id-连续漏极电流

57 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN016-100BS,118-

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产品型号

PSMN016-100BS,118

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

148 W

Pd-功率耗散

148 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

4.5 V

Vgs-栅源极击穿电压

4.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2404pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

49nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9699-1

功率-最大值

148W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

57A (Tj)

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