Datasheet下载- 型号： IRFB4110GPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4110GPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4110GPBF价格参考。International RectifierIRFB4110GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB4110GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4110GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB4110GPBF是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRFB4110GPBF常用于开关电源中的功率开关，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 - 其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度特性，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或家用电器电机，该MOSFET可用作开关元件。 - 它支持高效控制电机的速度和方向，同时保持较低的功耗。 3. 电池管理系统（BMS） - 用于电池充放电保护电路中，作为开关或负载控制器件。 - 其低导通电阻有助于减少电池电流路径上的电压降，从而延长电池寿命。 4. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRFB4110GPBF可用于高频开关操作。 - 它能够实现高效的直流到交流转换，适用于中小型逆变器系统。 5. 负载切换与保护 - 用作负载切换开关，保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 常见于汽车电子、工业自动化和消费电子产品中。 6. LED驱动 - 在大功率LED照明系统中，该MOSFET可用作PWM调光控制开关。 - 提供稳定的电流输出以确保LED亮度一致。 总结 IRFB4110GPBF凭借其优异的电气性能（如低Rds(on)、高击穿电压和快速开关能力），非常适合需要高效功率转换和控制的应用场景。这些特点使其成为许多现代电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABMOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4110GPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4110GPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 370 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9620pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 370W |
| 功率耗散 | 370 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 150 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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