Datasheet下载- 型号： IRF7862TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7862TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7862TRPBF价格参考。International RectifierIRF7862TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7862TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7862TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7862TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于FET/MOSFET单管类别。该型号的MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRF7862TRPBF常用于开关电源的设计中，作为功率开关器件，能够高效地实现电压转换。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高电源的整体效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低损耗特点使其非常适合此类应用。 3. 电池管理系统（BMS） 该型号可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关器件，确保电池在安全范围内工作，并防止过流或短路情况发生。 4. DC-DC转换器 IRF7862TRPBF适用于降压或升压型DC-DC转换器，用作主功率开关，帮助实现高效的电压调节功能。 5. 负载开关 在需要动态控制负载通断的应用中，例如消费类电子产品或工业设备，该MOSFET可以作为高性能负载开关使用。 6. 逆变器 在小型光伏逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可用作功率级开关，将直流电转换为交流电。 7. LED驱动 对于大功率LED照明系统，IRF7862TRPBF可以用作电流调节开关，确保LED以恒定电流工作，从而提升亮度稳定性和寿命。 总结来说，IRF7862TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备以及新能源领域中的各种功率转换和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7862TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7862TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4090pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7862TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 21 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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