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  • 型号: NX3008PBK,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBK,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBK,215价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBK,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NX3008PBK,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX3008PBK,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V TO-236ABMOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 230 mA

Id-连续漏极电流

- 230 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBK,215-

数据手册

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产品型号

NX3008PBK,215

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

420 mW

Pd-功率耗散

420 mW

Qg-GateCharge

0.55 nC

Qg-栅极电荷

0.55 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.9 V

上升时间

30 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

46pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.72nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-10499-2
934065642215
NX3008PBK,215-ND
NX3008PBK215

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

350mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.8 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

160 mS

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 230 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

230mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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