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产品简介:
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Vishay Siliconix品牌的2N6660JTX02是一款N沟道MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET可用于开关电源中的功率开关,帮助实现高效的电压转换和稳压功能。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,2N6660JTX02可用作开关元件,通过快速切换来控制电机的速度和方向。 3. 负载开关:在需要动态管理电源分配的应用中,如便携式电子设备或工业控制系统,这款MOSFET可作为负载开关,实现对不同负载的精确控制。 4. 逆变器电路:用于将直流电转换为交流电的逆变器中,该器件可以充当高频开关元件,支持高效的能量转换。 5. 电池保护电路:在电池管理系统(BMS)中,2N6660JTX02可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 6. 信号放大与处理:尽管主要用于开关应用,但该MOSFET也可在某些低频信号放大场景中使用,特别是在需要高输入阻抗的场合。 7. 续流二极管替代:在一些电路设计中,可以用此MOSFET替代传统的续流二极管,以降低功耗并提高效率。 总之,2N6660JTX02凭借其优良的电气性能和可靠性,广泛适用于消费电子、工业自动化、通信设备及汽车电子等领域中的各种功率管理和控制任务。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N6660JTX02 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1A, 10V |
供应商器件封装 | TO-39 |
功率-最大值 | 725mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
标准包装 | 20 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 990mA (Tc) |