ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NX3020NAKS,115
Datasheet下载- 型号： NX3020NAKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3020NAKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3020NAKS,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3020NAKS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 180mA 375mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载NX3020NAKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3020NAKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3020NAKS,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道、N沟道增强型逻辑电平 MOSFET 阵列（采用 SOT-886 封装，即小型 6 引脚无引线封装）。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关与电源路径控制，得益于其低导通电阻（Rds(on) ≈ 45 mΩ @ Vgs=4.5V）、低阈值电压（Vgs(th) ≈ 0.6–1.1 V）和微小封装，适合空间受限的电池供电系统。 - LED 驱动与背光控制：用于驱动小型 LED 或 LCD 背光，双通道结构可分别控制多路 LED 或实现 PWM 调光。 - 接口电平转换与信号切换：在低电压（1.8 V/3.3 V）数字系统中，作为双向电平移位器或I²C/SPI总线缓冲开关（配合外部上拉电阻），支持轨到轨切换。 - 电机/执行器微功率驱动：适用于微型振动马达、蜂鸣器或小型电磁阀的驱动，尤其在需双路独立控制且电流≤500 mA（连续）的场景。 - 电池保护与热插拔电路：集成于电池包或USB-C接口模块中，提供过流/反向阻断保护及软启动功能（配合外部RC网络）。 该器件不含内置续流二极管，不推荐用于感性负载高频硬开关；设计时需注意PCB散热与栅极驱动稳定性。总体适用于高集成度、低功耗、小尺寸的消费类与物联网终端应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOPMOSFET NX3020NAKS/SC-88/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 mA |
| Id-连续漏极电流 | 180 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3020NAKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3020NAKS,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1100 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Qg-GateCharge | 0.34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 48pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10505-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | TSSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 320 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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