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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPS38N60LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPS38N60LPBF价格参考。VishayIRFPS38N60LPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPS38N60LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPS38N60LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPS38N60LPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于高效率电源转换系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和优良的热性能,适用于需要高可靠性和高效能的场合。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等,作为主开关元件,提高能量转换效率。 2. 电机驱动:在变频器或伺服驱动系统中用于控制电机转速与方向。 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路。 4. 家电控制:如电磁炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中进行电能转换与调节。 该MOSFET采用TO-220封装,易于散热和安装,适合工业级应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247MOSFET N-Chan 600V 38 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPS38N60LPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91259 |
| 产品型号 | IRFPS38N60LPBFIRFPS38N60LPBF |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 69 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7990pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 320nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SUPER-247(TO-274AA) |
| 其它名称 | *IRFPS38N60LPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-274AA |
| 封装/箱体 | TO-274-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |