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  • 型号: BS170
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BS170产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BS170由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170价格参考。Fairchild SemiconductorBS170封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 500mA(Ta) 830mW(Ta) TO-92-3。您可以下载BS170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92MOSFET N-Channel MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

500 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor BS170-

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产品型号

BS170

Pd-PowerDissipation

0.83 W

Pd-功率耗散

830 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

40pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 200mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

830mW

包装

散装

单位重量

200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

0.32 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

系列

BS170

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BS170_NL

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