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BS170产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BS170由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170价格参考。Fairchild SemiconductorBS170封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 500mA(Ta) 830mW(Ta) TO-92-3。您可以下载BS170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BS170 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它具有低导通电阻、快速开关速度和较高的电流承载能力,因此在多种应用场景中表现出色。以下是 BS170 的一些典型应用场景: 1. 电源管理 BS170 常用于低压电源管理系统中,例如手机充电器、USB 充电器、便携式设备的电源适配器等。由于其低导通电阻(Rds(on)),它可以有效减少功率损耗,提高电源转换效率。此外,它还可以用于电池保护电路中,防止过充或过放。 2. 电机驱动 在小型电机控制中,BS170 可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性使得它可以精确控制电机的转速和方向,适用于玩具、风扇、打印机等设备中的小型直流电机。 3. 信号切换 BS170 可用于模拟和数字信号的切换。例如,在音频设备中,它可以用于切换不同的输入源,或者在通信设备中用于信号路径的选择。由于其低导通电阻和低电容,BS170 可以确保信号传输的高保真度和低失真。 4. 负载开关 BS170 可以用作负载开关,控制电路中不同负载的通断。例如,在笔记本电脑或其他便携式电子设备中,它可以用于控制外部设备(如 USB 设备、外接硬盘等)的供电,确保在不使用时切断电源,节省能源。 5. LED 驱动 BS170 也常用于 LED 照明系统中,作为驱动电路的一部分。它可以调节通过 LED 的电流,从而控制亮度,并且可以通过 PWM(脉宽调制)实现无级调光。此外,它还可以用于 LED 保护电路,防止过流或短路损坏 LED。 6. 继电器替代 在某些应用中,BS170 可以替代传统的机械继电器,特别是在需要频繁开关的场合。与继电器相比,MOSFET 不会产生机械磨损,响应速度更快,寿命更长,适合用于自动化控制系统、家电等设备中。 总之,BS170 凭借其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种消费电子、工业控制、通信设备等领域,特别是在需要高效、快速开关的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor BS170- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BS170 |
| Pd-PowerDissipation | 0.83 W |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA (Ta) |
| 系列 | BS170 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BS170_NL |