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  • 型号: STF2HNK60Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STF2HNK60Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF2HNK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF2HNK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTF2HNK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF2HNK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF2HNK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STF2HNK60Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):STF2HNK60Z 的高耐压特性(650V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如 AC-DC 转换器、适配器和充电器。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中用作主开关器件,提供高效的电压调节。

 2. 电机驱动
   - 工业电机控制:可用于驱动中小型电机,适用于家用电器(如风扇、泵)或工业设备中的电机控制。
   - 逆变器电路:在电机驱动逆变器中作为功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。

 3. 太阳能逆变器
   - 在小型光伏系统中,STF2HNK60Z 可用于将直流电转换为交流电,支持太阳能发电系统的能量传输。

 4. 电子负载保护
   - 过流保护:利用其低导通电阻(Rds(on) = 0.7 Ω @ Vgs=10V)和快速开关特性,可设计高效的过流保护电路。
   - 负载开关:在需要频繁切换负载的应用中,该 MOSFET 提供可靠的开关功能。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:适用于汽车内的 DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)以及照明控制等。
   - 启动与停止系统:在车辆启停系统中,该 MOSFET 可用于管理电池与发电机之间的能量流动。

 6. 家电与消费电子
   - LED 驱动器:用于驱动大功率 LED 灯具,确保高效稳定的电流输出。
   - 音频放大器:在某些功率放大器设计中,可用作输出级的开关元件。

 7. 其他应用
   - 电磁阀控制:用于工业自动化领域中的电磁阀驱动。
   - 继电器替代:由于其固态特性,可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。

 总结
STF2HNK60Z 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、汽车电子及家电等领域。其紧凑的封装形式(TO-220FP)也便于集成到各种设计中,满足多样化的功率需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FPMOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF2HNK60ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STF2HNK60Z

Pd-PowerDissipation

20 W

Pd-功率耗散

20 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-12575-5
STF2HNK60Z-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF78063?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

20W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Tc)

系列

STF2HNK60Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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