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STF2HNK60Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF2HNK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF2HNK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTF2HNK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF2HNK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF2HNK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF2HNK60Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):STF2HNK60Z 的高耐压特性(650V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如 AC-DC 转换器、适配器和充电器。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中用作主开关器件,提供高效的电压调节。 2. 电机驱动 - 工业电机控制:可用于驱动中小型电机,适用于家用电器(如风扇、泵)或工业设备中的电机控制。 - 逆变器电路:在电机驱动逆变器中作为功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 太阳能逆变器 - 在小型光伏系统中,STF2HNK60Z 可用于将直流电转换为交流电,支持太阳能发电系统的能量传输。 4. 电子负载保护 - 过流保护:利用其低导通电阻(Rds(on) = 0.7 Ω @ Vgs=10V)和快速开关特性,可设计高效的过流保护电路。 - 负载开关:在需要频繁切换负载的应用中,该 MOSFET 提供可靠的开关功能。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:适用于汽车内的 DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)以及照明控制等。 - 启动与停止系统:在车辆启停系统中,该 MOSFET 可用于管理电池与发电机之间的能量流动。 6. 家电与消费电子 - LED 驱动器:用于驱动大功率 LED 灯具,确保高效稳定的电流输出。 - 音频放大器:在某些功率放大器设计中,可用作输出级的开关元件。 7. 其他应用 - 电磁阀控制:用于工业自动化领域中的电磁阀驱动。 - 继电器替代:由于其固态特性,可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 总结 STF2HNK60Z 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、汽车电子及家电等领域。其紧凑的封装形式(TO-220FP)也便于集成到各种设计中,满足多样化的功率需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FPMOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF2HNK60ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF2HNK60Z |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12575-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF78063?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
| 系列 | STF2HNK60Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |