Datasheet下载- 型号： PHP18NQ11T,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHP18NQ11T,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHP18NQ11T,127价格参考。NXP SemiconductorsPHP18NQ11T,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHP18NQ11T,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHP18NQ11T,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHP18NQ11T,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 110V 耐压、18A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 40 mΩ @ Vgs=10V），并支持 4.5V 逻辑电平驱动，具备良好的开关性能与热稳定性。 该器件主要应用于中功率开关场景，典型用途包括： ✅ 工业电源中的同步整流、DC-DC 转换器（如降压/升压拓扑）的主开关或续流开关； ✅ 电机控制领域，如直流无刷（BLDC）电机驱动的半桥/全桥功率级、小型风扇/泵类驱动； ✅ 汽车电子辅助系统（符合 AEC-Q101 认证前的工业级应用），如车身控制模块（BCM）中的负载开关、LED 照明调光与驱动； ✅ 不间断电源（UPS）、太阳能逆变器辅助电源及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； ✅ 自动化设备中的继电器替代方案，用于高可靠性、长寿命、低功耗的固态开关控制。 其逻辑电平兼容性（Vgs(th) 低至 1–2.5V）便于直接由 MCU 或 FPGA 驱动，无需额外驱动电路；TO-220 封装利于散热与手工焊接/维修，适合中批量工业及消费类设备。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动、PCB 散热及过压/过流保护以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHP18NQ11T,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5755 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 110V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tmb） |
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