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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 PHP18NQ11T,127 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件主要适用于需要高效功率管理与开关控制的电子系统。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高能源利用效率; 2. 电机驱动电路:在电动工具、风扇、泵类设备中作为开关元件; 3. 负载开关应用:如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源开关; 4. 电池供电设备:用于延长电池续航时间,减少能量损耗; 5. 汽车电子系统:如车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景; 6. 工业自动化设备:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中。 该MOSFET采用小型封装(如LFPAK),便于PCB布局并节省空间,适合高密度设计需求。其良好的热稳定性和耐用性也使其适用于中高功率应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PHP18NQ11T,127 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 9A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-5755 |
功率-最大值 | 79W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 110V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tmb) |