Datasheet下载- 型号： IRF6617TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6617TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6617TR1价格参考。International RectifierIRF6617TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6617TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6617TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF6617TR1 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件具有低RDS(on)、高电流承载能力和优良的热性能，适合在紧凑空间内实现高效能设计。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于同步整流DC-DC转换器、降压（Buck）和升压（Boost）变换器中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的板级电源模块。 2. 电池供电系统：因其低损耗特性，被广泛用于便携式设备（如平板电脑、移动电源）中的电池保护电路和负载开关，延长电池续航时间。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制电路，常见于家电（如风扇、电动工具）和工业自动化设备中。 4. 照明系统：用于LED驱动电源，支持高效率恒流控制，满足节能照明需求。 5. 热插拔与负载开关：在电信和数据中心设备中，用于控制电源通断，防止浪涌电流损坏系统。 IRF6617TR1采用贴片封装（如PowerPAK SO-8），便于自动化生产，并具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其可靠性和稳定性使其成为工业、消费电子和通信领域中功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6617TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它有关文件 | |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6617.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6617.spi |
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