Datasheet下载- 型号： IXFP10N80P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP10N80P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP10N80P价格参考。IXYSIXFP10N80P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFP10N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFP10N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP10N80P是一款功率MOSFET晶体管，属于FET类别中的单管结构。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性的特点，适用于多种电力电子变换和功率控制场合。 IXFP10N80P的主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能转换系统中，提升能源利用效率。 2. 电机驱动：适用于工业自动化控制中的电机驱动电路，如伺服驱动器、变频器等，提供稳定的功率输出控制。 3. 逆变器系统：在UPS不间断电源、太阳能逆变器及电动车逆变系统中，用于将直流电转换为交流电，驱动负载设备。 4. 充电器与电池管理系统：应用于高性能电池充电器及储能系统中，实现高效、安全的充放电控制。 5. 工业控制系统：用于工业设备中的功率开关控制，如加热控制、照明调节、电磁阀驱动等。 6. 汽车电子：在电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）的电源管理系统中，用于功率调节与电能分配。 该器件采用TO-264封装，便于散热和安装，适合中高功率应用场景。其800V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，使其在高电压和高功率密度设计中具有良好的适应性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFP10N80PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFP10N80P |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IXFP10N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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