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IRFD210PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD210PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD210PBF价格参考。VishayIRFD210PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFD210PBF是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换:IRFD210PBF适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器等应用中,作为主开关管或同步整流管,提供高效的功率转换。 2. 电机驱动:可用于小型电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节,例如家用电器中的风扇、水泵等。 3. 负载开关:在需要快速开启和关闭负载的应用中,该MOSFET可以作为负载开关使用,确保低导通电阻下的高效运行。 4. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFD210PBF可以用作开关元件,将直流电转换为交流电。 5. 电池保护:用于电池管理系统中,控制电池充放电路径,防止过流、短路等问题。 6. 音频功放:在D类音频放大器中,作为输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。 7. 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可以替代传统机械继电器,用于频繁切换的电路中。 8. 脉宽调制(PWM)控制:在LED驱动、加热控制等应用中,通过PWM信号控制输出功率。 IRFD210PBF具有较低的导通电阻(典型值为0.18Ω)和较高的漏源电压(500V),使其适合高压、中低电流的应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性。这些特性使其成为工业、消费电子及汽车领域中许多应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIPMOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
Id-连续漏极电流 | 600 mA |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD210PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91129 |
产品型号 | IRFD210PBF |
Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 360mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD210PBF |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1000 mW |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.5 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 600 mA |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 600mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |