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  • 型号: IRFD210PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFD210PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD210PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD210PBF价格参考。VishayIRFD210PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFD210PBF是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源转换:IRFD210PBF适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器等应用中,作为主开关管或同步整流管,提供高效的功率转换。

2. 电机驱动:可用于小型电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节,例如家用电器中的风扇、水泵等。

3. 负载开关:在需要快速开启和关闭负载的应用中,该MOSFET可以作为负载开关使用,确保低导通电阻下的高效运行。

4. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFD210PBF可以用作开关元件,将直流电转换为交流电。

5. 电池保护:用于电池管理系统中,控制电池充放电路径,防止过流、短路等问题。

6. 音频功放:在D类音频放大器中,作为输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。

7. 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可以替代传统机械继电器,用于频繁切换的电路中。

8. 脉宽调制(PWM)控制:在LED驱动、加热控制等应用中,通过PWM信号控制输出功率。

IRFD210PBF具有较低的导通电阻(典型值为0.18Ω)和较高的漏源电压(500V),使其适合高压、中低电流的应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性。这些特性使其成为工业、消费电子及汽车领域中许多应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIPMOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

600 mA

Id-连续漏极电流

600 mA

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD210PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91129

产品型号

IRFD210PBF

Pd-PowerDissipation

1000 mW

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

140pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 360mA,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD210PBF

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

1W

功率耗散

1000 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.5 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

600 mA

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

600mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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