Datasheet下载- 型号： VS-FB180SA10P
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-FB180SA10P由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-FB180SA10P价格参考。VishayVS-FB180SA10P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VS-FB180SA10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-FB180SA10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 VS-FB180SA10P 的场效应晶体管（MOSFET）由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产，属于功率 MOSFET 类器件，通常用于高功率和高频率的应用场景。 该器件是一款 N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、低导通电阻及快速开关特性，适用于以下主要应用场景： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能功率转换。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或伺服电机控制电路中作为功率开关，提供快速响应和稳定控制。 3. 逆变器系统：用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中，实现直流电到交流电的高效转换。 4. 工业自动化设备：作为功率控制元件，用于工业控制系统、自动化机械及机器人中的高频率开关操作。 5. 汽车电子：在电动车、车载充电器、电池管理系统（BMS）中用于功率管理与电能控制。 其高可靠性和优异的热性能使其适合在要求严苛的工业与汽车环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Chan 100V 180 Amp |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors VS-FB180SA10P |
| 产品型号 | VS-FB180SA10P |
| Pd-PowerDissipation | 480 W |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 351 ns |
| 下降时间 | 335 ns |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 典型关闭延迟时间 | 181 ns |
| 功率耗散 | 480 W |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOT-227-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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