ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NVD5802NT4G
Datasheet下载- 型号： NVD5802NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5802NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5802NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5802NT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 16.4A（Ta），101A（Tc） 2.5W（Ta），93.75W（Tc） DPAK。您可以下载NVD5802NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5802NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5802NT4G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该 MOSFET 适用于各种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够高效地进行电流切换，减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，NVD5802NT4G 可用于实现高效的电机启动、停止和调速控制。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低发热，延长器件寿命，并提高系统的可靠性。 3. 电池管理系统：在电池保护电路中，这款 MOSFET 可以用作开关元件，确保电池充放电过程中的安全性和稳定性。它可以快速响应过流、过压等异常情况，保护电池不受损坏。 4. 负载开关：作为负载开关，NVD5802NT4G 可以精确控制电路的通断状态，适用于需要频繁开关操作的应用场景，如消费电子设备中的电源管理单元（PMU）。 5. 通信设备：在通信基础设施中，如基站、路由器等设备中，该 MOSFET 可用于信号处理和电源管理部分，提供稳定的电流输出，确保通信质量。 6. 汽车电子：在汽车电子系统中，NVD5802NT4G 可应用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、空调系统等，提供高效可靠的开关控制功能。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口等，该 MOSFET 可用于实现高速、高精度的信号传输和控制。 总之，NVD5802NT4G 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效开关控制和电源管理的场合，尤其适合对功耗和热管理有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5802NT4G |
| rohs | 无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.4A （Ta）， 101A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
