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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86116LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86116LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86116LZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC86116LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86116LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC86116LZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率转换的场合。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点,适用于多种电源管理和功率电子应用。 其典型应用场景包括: 1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块,实现电压调节与能量高效传输。 2. 负载开关与电源管理:在便携式电子产品中作为负载开关,控制电池供电系统的通断,提升能效并延长续航时间。 3. 马达驱动电路:应用于小型电机或步进电机的驱动控制,提供快速响应与稳定输出。 4. 同步整流:在反激式或正激式开关电源中替代传统二极管,减少损耗,提高系统效率。 5. 电池充电管理系统:用于智能功率分配与充放电路径控制,保障电池安全与使用寿命。 该MOSFET具备优良的封装散热设计,适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制、消费电子及通信基础设施等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLPMOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86116LZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC86116LZ |
Pd-PowerDissipation | 19 W |
Pd-功率耗散 | 19 W |
Qg-GateCharge | 2 nC, 4 nC |
Qg-栅极电荷 | 2 nC, 4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 103 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 103 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 103 毫欧 @ 3.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-MLP(3.3X3.3),Power33 |
其它名称 | FDMC86116LZCT |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 180 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
系列 | FDMC86116LZ |