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  • 型号: IRFI9Z24GPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9Z24GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9Z24GPBF价格参考。VishayIRFI9Z24GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI9Z24GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9Z24GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRFI9Z24GPBF 是一款P沟道增强型MOSFET,属于功率晶体管中的单MOSFET器件。该型号采用TO-252(D-Pak)封装,具有低导通电阻、高可靠性及良好的热稳定性,适用于多种电源管理与功率控制场景。

典型应用场景包括:  
1. 电源开关电路:常用于DC-DC转换器、电压反转电路和负载开关中,实现高效电能转换与通断控制。  
2. 电池供电设备:广泛应用于便携式电子产品(如移动电源、手持设备、笔记本电脑)中的电池反接保护和充放电管理。  
3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为开关元件,控制电流方向与通断。  
4. 工业控制与电源模块:用于继电器驱动、电源冗余切换、过流保护电路等工业级应用,提升系统安全性与稳定性。  
5. 消费类电子:适用于LED驱动、家电控制板、智能插座等需要低功耗、高效率开关功能的场合。

IRFI9Z24GPBF符合RoHS标准,具备良好的抗雪崩能力和静电防护特性,适合在中等功率环境下稳定运行。其P沟道设计简化了栅极驱动电路,在许多替代机械开关的应用中表现出色。总体而言,该器件适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的电源控制领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FPMOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.5 A

Id-连续漏极电流

8.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9Z24GPBF-

数据手册

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产品型号

IRFI9Z24GPBFIRFI9Z24GPBF

Pd-PowerDissipation

37 W

Pd-功率耗散

37 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

68 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

570pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 5.1A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFI9Z24GPBF

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

37W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

280 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

8.5 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.5A (Tc)

系列

IRF/SIHGI9ZxxG

通道模式

Enhancement

配置

Single

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