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  • 型号: PSMN006-20K,518
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN006-20K,518由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN006-20K,518价格参考。NXP SemiconductorsPSMN006-20K,518封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN006-20K,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN006-20K,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN006-20K,518 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于高效率、高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(200V)和优异的热稳定性,广泛用于以下场景:

1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于高效能电能转换。

2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、无人机等中的电机控制模块,实现快速开关与能耗降低。

3. 负载开关与电源管理:在服务器、通信设备和消费电子产品中作为高效负载开关,控制电源通断,减少静态功耗。

4. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车(EV)、储能系统及高功率便携设备中,作为充放电控制开关,提升系统安全性和效率。

5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持清洁能源应用。

该MOSFET采用小型化封装(如LFPAK),具备高功率密度和良好散热性能,适合空间受限且要求高可靠性的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN006-20K,518

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4350pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 2.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 5A,4.5V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

934057032518
PSMN006-20K /T3
PSMN006-20K /T3-ND

功率-最大值

8.3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Ta)

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