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产品简介:
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PSMN006-20K,518 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于高效率、高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(200V)和优异的热稳定性,广泛用于以下场景: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、无人机等中的电机控制模块,实现快速开关与能耗降低。 3. 负载开关与电源管理:在服务器、通信设备和消费电子产品中作为高效负载开关,控制电源通断,减少静态功耗。 4. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车(EV)、储能系统及高功率便携设备中,作为充放电控制开关,提升系统安全性和效率。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持清洁能源应用。 该MOSFET采用小型化封装(如LFPAK),具备高功率密度和良好散热性能,适合空间受限且要求高可靠性的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN006-20K,518 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4350pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 2.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 5A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 934057032518 |
功率-最大值 | 8.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta) |