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产品简介:
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Renesas Electronics America的RJL6020DPK-00#T0是一款由瑞萨电子(原Intersil产品)制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能,适用于多种电源管理和功率转换应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提升电源转换效率。 2. 电机控制:在电动工具、工业电机和汽车电机驱动中作为开关元件使用。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器,用于高效能电源管理。 4. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块等。 5. 工业自动化:作为功率开关用于PLC、伺服驱动器和传感器供电系统。 该MOSFET采用小型DFN封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的散热性能,适用于高密度和高效率要求的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJL6020DPK-00#T0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 210 毫欧 @ 15A, 10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta) |