Datasheet下载- 型号： SSM3K37MFV,L3F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K37MFV,L3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K37MFV,L3F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K37MFV,L3F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K37MFV,L3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K37MFV,L3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM3K37MFV,L3F 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 FET、MOSFET - 单 类别，是一款 P沟道MOSFET。该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理电路：适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电池供电系统，实现高效能的电源开关与负载控制。 2. 负载开关与隔离应用：由于其低导通电阻（Rds(on)）和小封装特性，适合用作负载开关，控制外围设备的电源通断，减少待机功耗。 3. 信号切换：可用于模拟或数字信号路径中的切换元件，尤其在需要低漏电流和高集成度的系统中表现良好。 4. DC-DC转换器与同步整流：在小型DC-DC转换电路中作为高频开关元件，提升电源转换效率。 5. 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准的版本可用于车载设备中，例如车身控制模块、LED照明驱动等。 该MOSFET采用 SOT-23F（S-Mini3-F）封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度PCB布局及工业级温度要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 250MA VESM |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K37MFV点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM3K37MFV,L3F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | SSM3K37MFVL3F(TDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA （Ta） |
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