Datasheet下载- 型号： FQB6N70TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N70TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N70TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N70TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB6N70TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB6N70TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N70TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效能功率开关的场合。该器件具有700V的漏源击穿电压和6A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等电流的电源转换系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，作为主开关管使用。 2. 开关电源（SMPS）：在各类工业和消费类开关电源中用于提高转换效率和减小体积。 3. LED照明驱动：适用于高电压LED灯串的电源管理，提供稳定高效的电流控制。 4. 电机控制与驱动：在小型电机或风扇控制电路中作为功率开关使用，适用于家电或工业控制系统。 5. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中的DC-AC逆变电路中，用于功率转换。 6. 电池管理系统（BMS）：在高电压电池组中用于充放电控制与保护。 FQB6N70TM采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性，适合表面贴装工艺，广泛应用于高密度、高效率的电力电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB6N70TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 700V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Tc） |
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