Datasheet下载- 型号： CSD22202W15
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD22202W15由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD22202W15价格参考。Texas InstrumentsCSD22202W15封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD22202W15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD22202W15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD22202W15 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沫 FET（场效应晶体管），属于 MOSFET - 单类别的产品。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于高效能功率转换和开关应用。以下是 CSD22202W15 的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：CSD22202W15 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关管或同步整流管，实现高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中，用作负载开关以控制电源的通断，降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型直流电机，提供高效的开关性能和精确的电流控制。 - H 桥电路：在 H 桥电路中，CSD22202W15 可用于双向电机控制，支持正转、反转和刹车功能。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和移动设备：用于电池管理系统（BMS），实现电池充放电保护和电量管理。 - USB-PD（电力传输）：支持 USB-PD 功能的充电器或适配器，提供高效的功率传输和保护。 4. 工业应用 - 逆变器：在小型逆变器中作为开关元件，将直流电转换为交流电。 - 照明驱动：用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出，确保 LED 照明系统的高效运行。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：应用于汽车信息娱乐系统、仪表盘和其他低功率电子模块中。 - 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车或混合动力汽车中的电池保护和能量管理。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高整体效率。 - 高开关速度：适合高频开关应用，降低开关损耗。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，适合小型化设计。 综上所述，CSD22202W15 广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场景，特别适合消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGAMOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD22202W15NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD22202W15 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Qg-GateCharge | 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 800 mV |
| 上升时间 | 8.4 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1390pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.2 毫欧 @ 2A、 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 9-DSBGA |
| 典型关闭延迟时间 | 109 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 9-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-9 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 系列 | CSD22202W15 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Channel |
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