Datasheet下载- 型号： BVSS123LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BVSS123LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BVSS123LT1G价格参考。ON SemiconductorBVSS123LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BVSS123LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BVSS123LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的BVSS123LT1G是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的沟槽式场截止技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电源管理与功率控制场景。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关与负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电控制；各类消费类电子产品中的DC-DC转换器，用于提升电源效率；以及电机驱动电路、LED照明调光控制、充电管理模块等中低功率应用。此外，由于其小型化封装（如SOT-23或类似），BVSS123LT1G非常适合空间受限的高密度PCB设计。 该MOSFET还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统在瞬态电压冲击下的可靠性，因此也适用于工业控制、传感器模块和家用电器中的信号切换与功率控制功能。总体而言，BVSS123LT1G凭借其高效、可靠和紧凑的特点，广泛应用于需要节能、小型化和高稳定性的现代电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BVSS123LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
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