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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1018ESPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1018ESPBF价格参考。International RectifierIRF1018ESPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1018ESPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1018ESPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF1018ESPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于中低电压开关场合。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的热稳定性,适用于需要高效能与小型化设计的电子系统。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块,实现高效的电能转换。 2. 电机驱动:适用于小型直流电机、步进电机控制,常见于家电(如风扇、电动工具)和工业控制设备中。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的电源开关控制,如便携式仪器、移动设备,可有效降低功耗并提高系统可靠性。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中作为开关元件,提升转换效率。 5. 消费类电子产品:如LED照明驱动、充电器和适配器中,利用其快速开关特性减少能量损耗。 IRF1018ESPBF采用TO-220封装,便于散热安装,符合RoHS标准且为环保无铅产品(后缀PbF),适合对环保要求较高的工业与消费类应用。其耐压等级为60V,适合12V至48V系统使用,在兼顾性能与成本的同时,提供稳定可靠的开关解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
Id-连续漏极电流 | 79 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1018ESPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF1018ESPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 46 nC |
Qg-栅极电荷 | 46 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 47A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 79A (Tc) |
配置 | Single Dual Drain |