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产品简介:
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FQU7P20TU_AM002 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于电池供电设备中的电源开关控制,如笔记本电脑、平板、移动电源等,实现高效能与低功耗。 2. DC-DC转换器:用于电压调节电路中,作为同步整流器或开关元件,提高转换效率。 3. 负载开关:在需要控制高电流负载的场合,如电机驱动、LED照明、风扇控制等,作为电子开关使用,具备快速响应和低导通电阻特性。 4. 保护电路:用于过流、过压保护电路中,作为可控开关元件,保障系统安全。 5. 工业控制设备:如PLC、工业电源模块、自动化设备中,用于信号控制与功率切换。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(200V)及良好热性能,适合高效率、小体积设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQU7P20TU_AM002 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 690 毫欧 @ 2.85A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 70 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.7A (Tc) |