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NTF5P03T3G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF5P03T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF5P03T3G价格参考。ON SemiconductorNTF5P03T3G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 3.7A(Ta) 1.56W(Ta) SOT-223。您可以下载NTF5P03T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTF5P03T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTF5P03T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,适用于多种电力电子系统和电路设计,以下是一些典型的应用场景: 1. 开关电源 (SMPS): NTF5P03T3G 可用作开关电源中的功率开关器件,例如在降压、升压或反激式转换器中。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少导通损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动电路中,该 MOSFET 可用于控制电机的启停、速度和方向。其快速开关特性和较低的 Rds(on) 能够有效驱动负载并降低功耗。 3. 负载开关: 作为负载开关,NTF5P03T3G 可以实现对下游电路的动态供电管理,例如在便携式设备中控制电池与负载之间的连接,确保低静态电流和高效运行。 4. 电池保护电路: 在电池管理系统 (BMS) 中,这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及防止反向充电等功能,保障电池的安全使用。 5. 音频放大器: 在 D 类音频放大器中,NTF5P03T3G 可作为输出级开关器件,提供高效的音频信号放大功能,同时保持较低的失真率。 6. LED 驱动器: 用于 LED 照明系统的恒流驱动电路中,该 MOSFET 可精确调节 LED 的亮度,并支持 PWM 调光功能。 7. 逆变器: 在小型逆变器应用中,NTF5P03T3G 可参与将直流电转换为交流电的过程,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变设备。 8. 信号切换: 在需要高速信号切换的场合,如通信设备或多路复用器中,NTF5P03T3G 的快速开关速度和低电容特性使其成为理想选择。 综上所述,NTF5P03T3G 凭借其优异的电气性能和可靠性,非常适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,能够满足多样化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223MOSFET 30V 5.2A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTF5P03T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTF5P03T3G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns, 45 ns |
| 下降时间 | 20 ns, 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 5.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NTF5P03T3GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns, 23 ns |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 功率耗散 | 3.13 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 5.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A (Ta) |
| 系列 | NTF5P03 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |