Datasheet下载- 型号： STS10N3LH5
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS10N3LH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS10N3LH5价格参考。STMicroelectronicsSTS10N3LH5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STS10N3LH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS10N3LH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STS10N3LH5 是一款N沟道增强型MOSFET，属于低压、高效率功率晶体管，适用于多种电源管理与功率开关场景。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于具有低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，STS10N3LH5非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、电动工具和移动电源中的电源开关和负载管理。 2. DC-DC转换器：在同步整流式降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中，该MOSFET可作为高效开关元件，提升电源转换效率，广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备的电源模块。 3. 电机驱动：常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，如家用电器（风扇、水泵）、电动玩具和办公自动化设备，实现快速开关控制与低功耗运行。 4. 热插拔与负载开关：凭借其快速响应特性和过流保护兼容性，可用于服务器、网络设备中的热插拔电源管理，防止浪涌电流损坏系统。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准的部分应用中，可用于车载照明、车窗电机控制或电池管理系统等低压功率控制场合。 STS10N3LH5采用先进的沟槽栅技术，在3V驱动电压下仍能良好工作，适合由逻辑IC或微控制器直接驱动，简化设计。其小型化封装（如PowerSSO-36）有助于节省PCB空间，适用于高密度布局设计。总体而言，该器件以高效率、高可靠性和紧凑尺寸，广泛服务于消费电子、工业控制和轻型汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STS10N3LH5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 475pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-10010-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF222589?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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