Datasheet下载- 型号： SI9435DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9435DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9435DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI9435DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9435DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9435DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI9435DY 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用 SO-8 表面贴装封装，具有 -30 V 漏源电压（VDS）、最大 -5.3 A 连续漏极电流（ID）及低导通电阻（典型 RDS(on) 为 0.05 Ω @ VGS = –10 V），具备逻辑电平驱动能力（–4.5 V 可充分导通），内置 ESD 保护和快速体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于 DC-DC 转换器的同步整流、负载开关或反向电流保护； ✅ 电池供电系统：在便携设备（如笔记本电脑、POS 终端、工业手持终端）中作电池充放电路径控制或电池反接保护； ✅ 电机与LED驱动：驱动小型直流电机、继电器或 LED 背光的高边/低边开关（常配合 N-MOS 使用构成 H 桥或半桥）； ✅ 接口保护与热插拔：作为板级电源轨的电子保险丝（eFuse）或热插拔控制器中的功率开关，实现过流/短路软关断； ✅ 工业与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性与温度稳定性要求较高的场景（工作结温达 –55°C 至 +150°C）。 该器件凭借小尺寸、低功耗、强鲁棒性及 Vishay 高品质工艺，广泛用于空间受限、需高效开关与可靠保护的中低压（≤30 V）功率控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9435DY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SI9435DYCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
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