ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD2N100TM
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Datasheet下载- 型号： FQD2N100TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N100TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N100TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N100TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1000V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD2N100TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N100TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N100TM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1000V的高漏源击穿电压（VDS）和较低的导通电阻，适用于高电压、低电流的开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源系统：常用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源中，特别是在需要高耐压能力的工业电源设备中表现优异。 2. 照明驱动：广泛应用于高强度放电灯（HID）、荧光灯电子镇流器以及LED照明驱动电路，支持高频开关操作，提升能效。 3. 电机控制与工业控制：在工业自动化设备、小型电机驱动和电磁阀控制中作为高速开关元件，实现精确的功率控制。 4. 太阳能逆变器：在光伏系统中的直流侧开关电路中使用，利用其高电压耐受能力和稳定性，提高系统可靠性。 5. 高压脉冲电路：适用于激光驱动、电容放电系统等特殊高压脉冲应用。 FQD2N100TM采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合紧凑型高功率密度设计。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提高了整体效率，是中高功率高压应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAKMOSFET 1000V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2N100TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD2N100TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD2N100TM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 1.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Tc） |
| 系列 | FQD2N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQD2N100TM_NL |
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