Datasheet下载- 型号： NVF2955T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVF2955T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVF2955T1G价格参考。ON SemiconductorNVF2955T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVF2955T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVF2955T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVF2955T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） NVF2955T1G 具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率级开关元件。其快速开关特性和低损耗特性使其在电机控制应用中表现出色。 3. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，NVF2955T1G 可用作电池充放电路径的开关，确保电池的安全充放电操作。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高效率。 4. 负载开关 该器件适合用作负载开关，用于控制电子设备中不同负载的供电状态。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，可以用来动态管理电源分配。 5. LED 驱动 NVF2955T1G 可用于 LED 照明系统的驱动电路中，作为电流调节或开关元件。它的高效率和可靠性能够满足现代 LED 照明的需求。 6. 逆变器 在小型逆变器中，该 MOSFET 可用作功率开关，将直流电转换为交流电，适用于家用电器或工业设备中的逆变器应用。 7. 保护电路 NVF2955T1G 可用于过流保护、短路保护或反向电压保护电路中，提供可靠的安全保障。 总结 NVF2955T1G 的高性能参数（如低 Rds(on)、高 Vds 和快速开关速度）使其成为多种功率管理和控制应用的理想选择。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子，这款 MOSFET 都能提供高效、可靠的性能支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVF2955T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 492pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 750mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
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