Datasheet下载- 型号： NVD3055-094T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD3055-094T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD3055-094T4G价格参考。ON SemiconductorNVD3055-094T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD3055-094T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD3055-094T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD3055-094T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款增强型功率MOSFET，属于N沟道、表面贴装型单MOSFET器件。该器件广泛应用于高效率、高功率密度的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的降压（Buck）转换器，因其低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，有助于提升转换效率并减少发热。 2. 电动车辆（EV）及混合动力车（HEV）系统：用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换模块等，支持高可靠性和高温工作环境。 3. 工业电机控制：在电机驱动电路中作为开关元件，实现精确的功率控制。 4. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和储能系统，用于功率转换级，提高系统整体能效。 5. 高电流负载开关：适用于需要快速响应和低损耗的电源管理应用。 该器件采用先进的封装技术（如DPAK或类似），具备良好的热性能和可靠性，并通过AEC-Q101认证，适合汽车级应用。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提升了高频工作下的稳定性。总体而言，NVD3055-094T4G是一款高性能MOSFET，特别适用于对效率、散热和可靠性要求较高的中高功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD3055-094T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 94 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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