Datasheet下载- 型号： ZXMN10B08E6TC
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10B08E6TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10B08E6TC价格参考。Diodes Inc.ZXMN10B08E6TC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10B08E6TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10B08E6TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的晶体管型号ZXMN10B08E6TC是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、负载开关等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池保护：在便携式设备中，如移动电源、笔记本电脑和平板电脑，用于电池充放电保护电路，防止过流、过压或短路等情况。 4. 信号切换：在音频、视频或其他信号处理系统中，用作信号切换元件，实现不同信号源之间的切换功能。 5. 汽车电子：适合于车载电子系统的应用，例如LED照明控制、电动车窗、座椅调节等需要高效功率开关的场合。 6. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、电视和其他消费类电子产品中的背光驱动、充电电路及接口保护等领域。 7. 工业自动化：在工业控制领域，可作为固态继电器使用，用于控制传感器、执行器及其他外设的工作状态。 ZXMN10B08E6TC凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高电流承载能力及快速开关速度），能够在上述场景中提供高效的开关与保护作用，同时保持较小的封装尺寸以适应紧凑的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMN10B08E6TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 497pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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