Datasheet下载- 型号： ZVN4310A
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4310A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4310A价格参考。Diodes Inc.ZVN4310A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN4310A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4310A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的晶体管型号ZVN4310A是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：ZVN4310A常用于低电压、小信号开关应用中，例如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关。它的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电池管理：该MOSFET适用于便携式电子设备中的电池保护电路，如手机、平板电脑和可穿戴设备。它可以实现过流保护、短路保护以及充放电控制等功能。 3. 信号切换：在音频设备、传感器接口或数据通信系统中，ZVN4310A可以用作信号切换元件，提供快速且可靠的开关性能。 4. 电机驱动：对于小型直流电机或步进电机的驱动电路，这款MOSFET能够充当开关或PWM控制器，实现对电机速度和方向的精确控制。 5. 消费类电子产品：它广泛应用于各种消费类电子产品中，如遥控器、玩具、智能家居设备等，负责执行简单的开关操作或功率调节任务。 6. 背光驱动：在LCD显示屏的背光驱动电路中，ZVN4310A可用于控制LED灯条的亮度和工作状态。 7. 保护电路：利用其快速响应能力和低漏电流特性，该器件可以设计到热插拔保护电路或ESD防护电路中，以增强系统的可靠性。 总之，ZVN4310A凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式，在众多需要高效能、低成本解决方案的应用场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 900 mA |
| Id-连续漏极电流 | 900 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4310A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4310A |
| Pd-PowerDissipation | 850 mW |
| Pd-功率耗散 | 850 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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