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  • 型号: STP45N10F7
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP45N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP45N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTP45N10F7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP45N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP45N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP45N10F7是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器中,实现高效的能量转换和稳定的电压调节。

2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等的驱动电路,提供快速开关响应和低导通损耗,提高驱动效率。

3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和工业变频器中,用于实现直流到交流的高效转换。

4. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制和照明系统中,具备良好的热稳定性和可靠性,适应严苛的汽车环境。

5. 工业自动化:如PLC、伺服驱动器和工业电源模块,支持高频率开关操作,提升系统响应速度和能效。

该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(100V)和大电流承载能力(45A),适合高频、高效率的功率应用,是工业与消费类电源系统中的常用器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 45A TO-220MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP45N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII

mouser_ship_limit

该产品可能需要其他文件才能进口到中国。

数据手册

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产品型号

STP45N10F7

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

17 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1640pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 22.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-14573-5
STP45N10F7-ND

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

60W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

STP45N10F7

配置

Single

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