Datasheet下载- 型号： FQB55N06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB55N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB55N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB55N06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB55N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB55N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB55N06TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流可达55A，适合中高功率应用。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、电源开关等，用于提高能效和减小系统损耗。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路，作为功率开关使用，具备快速开关响应能力。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、车身控制模块等，因其具备较高的可靠性和温度稳定性，适合汽车环境。 4. 工业控制：在工业自动化设备、伺服驱动器、PLC系统中作为功率开关或负载控制器件。 5. 消费类电子产品：如高功率LED驱动、电源适配器、智能家电等，用于高效能、小体积的电源设计。 FQB55N06TM采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和焊接，适用于表面贴装工艺，适合批量生产和高效电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB55N06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
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