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Datasheet下载- 型号： IRF830PBF
- 制造商： Vishay
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IRF830PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830PBF价格参考￥5.02-￥8.77。VishayIRF830PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF830PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF830PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF830PBF是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率处理能力的场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRF830PBF适用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、反激式变换器等。其低栅极电荷和快速开关特性有助于提高效率并降低损耗。 2. 电机驱动：该器件可用于小型电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和良好的热性能使其适合驱动直流电机或步进电机。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRF830PBF可以用作功率级开关，将直流电转换为交流电。其耐压高达500V，能够适应较高的电压环境。 4. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、工业自动化设备等，该MOSFET可以实现快速、可靠的负载切换功能。 5. 保护电路：用于过流保护、短路保护等电路设计中，利用其低导通电阻特性来减少功耗，并通过快速关断防止损坏其他元件。 6. 音频功率放大器：在某些音频放大器设计中，IRF830PBF可用作输出级晶体管，提供大电流输出以驱动扬声器。 7. 脉宽调制（PWM）控制器：在各种PWM控制电路中，该器件可作为主开关元件，用于调节输出电压或电流。 总之，IRF830PBF凭借其出色的电气特性和可靠性，成为许多高电压、大电流应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF830PBFIRF830PBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF830PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 功率耗散 | 74 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | SIHF840-E3 |
