Datasheet下载- 型号： IRFR4105TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105TR价格参考。International RectifierIRFR4105TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR4105TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4105TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFR4105TR 是一款 P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于FET分类中的单MOSFET器件。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，因其具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，广泛用于家电（如吸尘器、风扇）或工业自动化设备中。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器等，用于高效控制电池充放电路径和电源切换。 4. 负载开关与继电器替代：用于替代传统机械继电器，在需要高频切换或高可靠性的场合提供更长寿命和更快响应速度。 5. 汽车电子系统：用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇控制等低功率汽车应用，符合汽车级可靠性要求。 6. 消费类电子产品：如智能音箱、智能家居控制器等，用于电源控制和信号切换。 该MOSFET采用Trench沟槽技术，具有良好的热稳定性和高功率密度，适合表面贴装（SMD），适用于自动化生产和紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR4105TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr4105.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr4105.spi |
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