Datasheet下载- 型号： NP35N04YUG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP35N04YUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP35N04YUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP35N04YUG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP35N04YUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP35N04YUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
瑞萨电子（Renesas Electronics America）的场效应晶体管（FET），具体型号NP35N04YUG-E1-AY，是一款MOSFET器件，常用于以下应用场景： 该MOSFET适用于电源管理与转换系统，例如DC-DC转换器、电池管理系统及负载开关电路。其高效率和快速开关特性使其适合用于节能型电源设备和便携式电子产品中。此外，该器件也广泛应用于工业自动化控制、电机驱动以及各类需要高效能功率开关的场合。 由于其具备良好的热稳定性和可靠性，该型号也可用于汽车电子系统中的辅助电源控制模块或车载充电系统，符合AEC-Q101等汽车级标准的应用需求。 综上，NP35N04YUG-E1-AY主要应用于电源管理、工业控制、电机驱动及车载电子等领域，满足对效率、可靠性和空间紧凑性有较高要求的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP35N04YUG-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-HSON |
| 其它名称 | NP35N04YUG-E1-AYCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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