Datasheet下载- 型号： IXFT42N50P2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT42N50P2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT42N50P2价格参考。IXYSIXFT42N50P2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFT42N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT42N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT42N50P2是一款功率MOSFET器件，属于FET晶体管中的P沟道增强型MOSFET。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于多种功率电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于高效能电能转换和稳压控制。 2. 电机驱动：用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，作为开关元件实现电机启停、调速和方向控制。 3. 工业自动化设备：在PLC、伺服驱动器、工业机器人等控制系统中作为功率开关使用。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、负载开关及保护电路中。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和光伏逆变器中，用于将直流电转换为交流电输出。 6. 汽车电子：如车载充电器、电动工具、电动车控制系统等高可靠性应用场景。 该器件具备良好的热稳定性和高耐用性，适合在高电压、中高功率环境下工作，适用于需要高效能与高可靠性的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 42A TO268MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT42N50P2PolarP2™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT42N50P2 |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar2 HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 系列 | IXFT42N50 |
| 配置 | Single |
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