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  • 型号: IRFU9014PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9014PBF价格参考。VishayIRFU9014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU9014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU9014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAKMOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.1 A

Id-连续漏极电流

5.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9014PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91277

产品型号

IRFU9014PBFIRFU9014PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

63 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

270pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 3.1A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-251AA

其它名称

*IRFU9014PBF

典型关闭延迟时间

9.6 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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