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  • 型号: IRFR13N20DCTRRP
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DCTRRP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DCTRRP价格参考。International RectifierIRFR13N20DCTRRP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR13N20DCTRRP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N20DCTRRP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR13N20DCTRRP的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有200V的漏源击穿电压和13A的连续漏极电流能力,适用于中高功率的开关应用。

该MOSFET常用于以下场景:

1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换。
2. 电机驱动:在工业自动化和电动工具中作为电机控制开关,具备快速开关能力和高耐压特性。
3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。
4. 负载开关与电源管理:在服务器、通信设备和消费类电子产品中用于电源开关控制。
5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保障系统安全稳定运行。

该器件采用D2PAK(TO-263)表面贴装封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热性能和可靠性,适用于工业级温度范围。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRFR13N20DCTRRP

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

830pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

235 毫欧 @ 8A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

110W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

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