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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DCTRRP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DCTRRP价格参考。International RectifierIRFR13N20DCTRRP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR13N20DCTRRP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N20DCTRRP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR13N20DCTRRP的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有200V的漏源击穿电压和13A的连续漏极电流能力,适用于中高功率的开关应用。 该MOSFET常用于以下场景: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:在工业自动化和电动工具中作为电机控制开关,具备快速开关能力和高耐压特性。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。 4. 负载开关与电源管理:在服务器、通信设备和消费类电子产品中用于电源开关控制。 5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保障系统安全稳定运行。 该器件采用D2PAK(TO-263)表面贴装封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热性能和可靠性,适用于工业级温度范围。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR13N20DCTRRP |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 235 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |